但要突破这项技术，东电P电需从锻造开坯、异形环轧制、热处理方面开展系统的研究工作，技术难度非常大。

云平(e)激光辐照下样品的升降温曲线。台亮(e-g)异质结的原子力显微镜照片和高度曲线。

该论文以Ultrafast,KineticallyLimited,AmbientSynthesisofVanadiumDioxidesthroughLaserDirectWritingonUltrathinChalcogenideMatrix为题发表在国际著名学术期刊ACSNano上，力展第一作者为清华大学材料学院博士生王博伦。东电P电文章链接：https://doi.org/10.1021/acsnano.1c03050本文由作者投稿。云平(c)V5S8的X射线光电子能谱图。

研究背景作为一种强关联的过渡金属氧化物，台亮二氧化钒(VO2)以其著名的绝缘体-金属相变现象和新型逻辑与智能器件的应用潜力而在过去数十年来受到了众多研究者的广泛关注。力展(d)激光直写V5S8-VSxOy-V5S8异质结NTCR器件示意图。

东电P电(f)不同激光辐照时间下氧化产物的拉曼光谱图。

进一步的光刻、云平刻蚀等图案化工艺又会不可避免地引入污染或材料损伤。通过微加工技术进行图案化的单晶硅是集成电路（IC）和微机电系统（MEMS）的基础，台亮这些技术已将世界带入了信息化和智能化的时代。

力展（d）分别在暗场和白光（12mWcm-2）下测得的光电探测器的特征I-V曲线。东电P电（b）用镊子弯曲的sc-SiFs的照片。

（b）分别在3mm，云平5mm和10mm的不同弯曲半径下计算出的峰值应变与样品厚度的关系图。台亮（d）在镊子之间弯曲的厚度为20μm的sc-SiFs的照片。